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于是，半导体领域的研究人员搬出了一种具有较高介电常数（即高k的介质材料——二氧化铪。介电常数高，也就意味着更厚的二氧化铪层，就能实现更薄的二氧化硅层的性能。
碳纳米管晶体管上同样采用了二氧化铪栅极电介质。但新的问题出现了：
沉积高k电介质的方法是原子层沉积。这一方法需要一个“起始点”，在硅中，就是表面自然形成的薄薄氧化层。
但碳纳米管不会自然形成氧化层啊，这就导致它并不能为沉积提供“起始点”。
纳米管的瑕疵倒是可以形成沉积点，但这又会限制其导电能力。
那么，怎么才能在不影响其性能的情况下，解决这个棘手的问题呢？
这时候，我们书归正传，来看看这项新研究提出的解决方案：
在碳纳米管和二氧化铪之间加入一个中间k介质。
△中间圆形为纳米管，上部黑色为栅极
具体而言，根据台积电MatthiasPasstlack和加州大学圣地亚哥分校AndrewKummel教授的研究，是将二氧化铪和氧化铝相结合。
其中，氧化铝采用加州大学圣地亚哥分校发明的纳米雾（nanofog技术制备。氧化铝会像水蒸气凝结成雾一样，凝结成簇，覆盖在纳米管表面。
以氧化铝界面为基础，二氧化铪原子层沉积的过程就能展开了。
实验结果
两种电介质的综合电特性，使得研究人员能够在一个直径只有15nm的栅极下，构造一个厚度小于4nm的栅极电介质装置。
并且，根据这一方法制备的碳纳米管元件，具备与基于CMOS的硅元件形似的开/关电流比特性。
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